Ведущий инженер по разработке силовых полупроводниковых приборов

Требования

Высшее профильное образование; опыт работы в микроэлектронике на SiC; опыт разработки полупроводниковых мзделий; знание технологической документации, ЕСКД и ЕСТД; умение работать с конструкторской документацией; аккуратность, ответственность, внимательность. Приветствуется: опыт работы в TCAD, КОМПАС-3D, Microwave Office, Cadence.

Обязанности

Разработка силовых дискретных п/п приборов и модулей на карбиде кремния (SiC); Разработка технологии изготовления п/п структур на SiC; Разработка конструкторской и технологической документации; Исследование электрофизических параметров п/п приборов

Условия

Пятидневная рабочая неделя (5/2); 8:15 - 18:00, обеденный перерыв 13:00 - 14:30. Оформление в соответствии с трудовым законодательством; Релокационный пакет.