Локация

Ведущий инженер-разработчик электросхем (тополог)

СНИИП
Москва Опыт работы от 3 лет Постоянная занятость Полный день
Поделиться

Описание

Мы обеспечиваем радиационную безопасность населения страны и сохранность экологии окружающей среды.

Безопасность для нас - превыше всего

СНИИП головное научное предприятие в сфере ядерного приборостроения.

Ключевое направление нашей деятельности с 1952 г. решение задач обеспечения ядерной и радиационной безопасности на объектах использования атомной энергии.

Сегодня институт является одним из ведущих разработчиков и поставщиков оборудования контроля радиационной и химической обстановки для гражданского и военного флота, АЭС и космических установок.

Обязанности:

  • Создание принципиальных электрических схем узлов и блоков;
  • Разработка топологии многослойных печатных плат в САПР;
  • Проведение расчётов и компьютерного моделирования (по запросу);
  • Участие в разработке программного обеспечения для компонентов микроконтроллерных встраиваемых систем (отладка схемотехнических решений);
  • Разработка эскизных программ-методик испытаний разработанного узла, блока, оборудования;
  • Участие в проведение испытаний макетных и опытных образцов узлов и блоков;
  • Техническое сопровождение процесса изготовления и реализации;
Требования:
  • Знание основ аналоговой и цифровой схемотехники;
  • Чтение технической документации (аналоговая и цифровая схемотехника, конструкторская документация), включая источники на иностранном языке;
  • Понимание синтеза электрических схем;
  • Опыт работы с лабораторным оборудованием (включая измерительное);
  • Навыки работы в САПР: Delta Desinger, Altium Designer, SolidWorks, Mathcad, Matlab, Comsol Multiphysics;
  • Навыки обращения с продуктами STMicroelectronics для 32-битных микроконтроллеров и разработки микропрограммного обеспечения;
  • Навыки монтажа электронных компонентов на печатные платы;
  • Знание английского языка на уровне Pre-Intermediate;
Условия:
  • Стабильность компании и социальная защищённость;
  • Оформление и гарантии в соответствии с Трудовым кодексом РФ;
  • Ежегодная индексация уровня заработной платы и годовое премирование;
  • График работы: 5/2 пн-чт с 8:15 до 17:15, пт до 16:00;
  • ДМС со стоматологией и госпитализацией;
  • Карьерный и экспертный рост;
  • Бесплатное обучение в Корпоративной академии Росатома, доступ к отраслевой образовательной платформе в любое время, собственная научно-техническая и художественная библиотека;
  • Возможность работать с международными заказчиками и партнёрами;
  • Комфортные условия труда- собственная территория с уютным сквером, корпоративная столовая, буккроссинг и зоны отдыха;
  • Корпоративные мероприятия;
  • Активное комьюнити - спортивное и волонтёрское движения, Совет молодёжи, профсоюз, система наставничества;
  • Скидки от компаний партнёров: 20% на годовые абонементы в World Class, 19% на изучение английского языка в SkyEng;
  • Компенсация детского летнего отдыха;
4 дня назад Источник: hh.ru
Обращаем Ваше внимание, что вакансия взята с внешнего источника hh.ru. Администрация сайта не несет ответственность за ее содержание.
Рекомендуемые вакансии

Ведущий инженер-разработчик высокочастотных аналоговых блоков СБИС (АЦП/ЦАП)

  • НПЦ ЭЛВИС
  • Москва
Описание АО НПЦ ЭЛВИС ключевой российский дизайн-центр по разработке элементной базы для систем связи и телекоммуникационного оборудования. НПЦ ЭЛВИС стремительно развивается, занимая сегодня ...
25.12.2025

Ведущий инженер-разработчик / инженер-схемотехник

от 190 000 руб.
  • Научно-производственное объединение дальней радиолокации имени академика А.Л. Минца
  • Москва
Описание АО Научно-производственное объединение дальней радиолокации им. академика А.Л. Минца - российский научно-производственный концерн, лидирующий разработчик, производитель и поставщик сложных ...
25.12.2025
от 190 000 руб.

Ведущий инженер-программист 1C:ERP

  • НПП ПУЛЬСАР
  • Москва
Описание АО НПП Пульсар лидер отечественной полупроводниковой электроники. Основные направления деятельности предприятия разработка нового поколения электронной компонентной базы: полупроводниковых ...
25.12.2025